倒霉的尼康都没机会当小角色

       在和阿斯麦关于“浸润式”和“干式”投影的技术路线争斗中，尼康只是打了一场败仗，而让它真正一败涂地的，还是在euv光刻机的研发中，被美国直接排除在外。这个时间点需要推移到“浸润式光刻”方案出现之前。在上面讲到的“浸润式光刻”方案中，光源采用波长为193nm的氟化氩激光。随着摩尔定律的推进，氟化氩激光的潜能很快被“浸润式光刻”榨干，半导体界需要寻找新的光源。高功率二氧化碳激光器看起来非常适合，它发射的极紫外光波长为13．5纳米，仅为氟化氩激光193nm的1／14，前途简直不可限量。不过，极紫外光也不好伺候，比如：容易被许多材料吸收，需要在真空环境曝光；真空环境带来洁净度挑战；过短波长易产生绕射，进而造成掩膜、晶圆边缘过度曝光，带来良品率下降问题；
       总之，新的光源带来一大堆新问题，其实这也是193nm氟化氩激光源一用就是几十年的原因。但极紫外光诱人的应用前景，促使摩尔定律的坚定拥护者intel早在1997年就开始下注，这也是尼康悲剧的开始，阿斯麦走运的起点。
intel和美国能源部共同发起成立euv llc组织，汇聚了美国顶级的研究资源和芯片巨头，包括劳伦斯利弗莫尔实验室、劳伦斯伯克利实验室和桑迪亚国家实验室等三大国家实验室，联合摩托罗拉（当时如日中天）、amd等企业，投入2．25亿美元资金，集中了数百位顶尖科学家，只为一件事：极紫外光刻机到底可不可行？考虑到美国光刻机公司日渐衰落，为避免阿斯麦（佳能当时已排在其后）和尼康中的一家独大，英特尔于是邀请阿斯麦和尼康一起加入。但美国政府不乐意了，担心最前沿的技术落入外国公司手中，因此反对阿斯麦和尼康加入euv llc。从这里也可以看出，美国和它的盟友并不总是掏心掏肺。阿斯麦对美国政府许下一大堆承诺后，勉强进入了euv llc这个超级朋友圈当一个小角色。尼康则没有这么幸运，直接被拒绝，连当小角色的机会都没有。