[原创]国产SiC沟槽MOSFET发展现状与前景分析
![[原创]国产SiC沟槽MOSFET发展现状与前景分析](http://blog.zy-xcx.cn/zb_users/upload/2025/08/202508241250499579088.jpg)
详细解读国产SiC沟槽MOSFET面临的专利限制、技术优势、市场前景及发展路径。报告的主要内容如下： 专利壁垒分析：使用表格介绍国际巨头专利布局及国内面临的限制。国内发展现状：分技术突破、量产时...
[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解
![[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解](http://blog.zy-xcx.cn/zb_users/upload/2025/08/202508241247433111145.jpg)
好的，我们来详细解释一下碳化硅（SiC）功率器件制造工艺中的核心材料——碳化硅同质外延片，以及您提到的关键概念和工艺。核心概念解析： 4H-SiC： 这是碳化硅最常见的多型体（晶体结构的一...
PECVD SiNx 薄膜应力的研究
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子...
转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些...
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）详解
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热...
用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展回顾
碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是用作...
UPS有什么作用？是什么东西？
UPS，全名Uninterruptible Power Supply, 不间断电源。是一种将蓄电池与主机相连接，通过主机逆变器等模块电路将直流电压转换成交流电压的系统设备，可以保证电源的安全，为部分对...