PECVD SiNx 薄膜应力的研究
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子...
炉管(Furnace)设备工艺经验8年笔记
通知：智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持，小编将继续努力推出更有深度，更有品质的博文，敬请期待。Furnace IntroductionØ...
转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些...
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）详解
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热...
用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展回顾
碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是用作...
UPS有什么作用？是什么东西？
UPS，全名Uninterruptible Power Supply, 不间断电源。是一种将蓄电池与主机相连接，通过主机逆变器等模块电路将直流电压转换成交流电压的系统设备，可以保证电源的安全，为部分对...
[经验] 浅析SiC-MOSFET
![[经验] 浅析SiC-MOSFET](http://blog.zy-xcx.cn/zb_users/upload/2020/11/202011081604820882886004.png)
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内应用看...
半导体厂商如何做芯片的出厂测试？
我觉得这个问题就是为我量身定制的！作为前Teradyne ATE工程师，现AMD DFT+数字IC设计工程师，以亲身项目经验，来谈谈这个问题。先来说一下完整的测试流程，再针对题主的两个问题回答一下。一...
SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析
国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章，因此本文对相关信息进行了搜集和总结，希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业，如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/...
工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的...