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SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析
国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章，因此本文对相关信息进行了搜集和总结，希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业，如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/...
中国IGBT和国外有多大差距？看完这篇你就清楚了 (转)
近年媒体的大陆报道，让我们知道中国集成电路离世界先进水平还很远。但在这里我先说一个很少被报道的产业，中国也几乎都依赖进口，那就是IGBT等功率元器件。我认为这是真的重点发展，且必须重视的产业，因为在高...
详细IGBT的开通过程(IGBT结构及工作原理)（转）
一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程，我觉得有必要了解一下。随着载流子寿命控制等技术的应...
对Fab PIE 的最确切解读
谨以此帖献给那些在Fab 拼搏的PE和EE们.其实PIE也是不容易的! PIE确实不容易，这句话作为开场白。 很多人都想做PIE，包括应届生，有经验的module，我想原...
绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限...
大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还...
经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMO...
解剖CMOS门电路–《与非门》 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）CMOS是半导体制造或者器件的最basic，所以我选择专题讲解CMOS与非门，从CMOS与非门的工作原理到电路分析到芯片解...
MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几乎讲了MOS的结构原理，热载流子(HCI)，穿通(Punch Trough)，亚阈值(Swing/St)，长沟、短沟...