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第三代半导体材料之碳化硅（SiC）[转]
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通知：智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持，小编将继续努力推出更有深度，更有品质的博文，敬请期待。碳化硅（SiC）材料是...
碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]
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碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由...
关于碳化硅SiC栅氧（Gate Oxide）以及NO 退火
1. Introduction 我们生活在一个能源匮乏的世界，在这个世界上，工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求，现在大约每40年翻一番。今天，我们消耗约18太瓦（18×101...
转：全方位解析SiC的产业化之路
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料，应用极为普遍，包括集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应...
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）详解
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热...
用于取代IGBT的碳化硅（SiC）MOSFET 技术发展回顾
碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由于碳化硅的硬度很高，碳化硅的主要用途是用作...
[经验] 浅析SiC-MOSFET
![[经验] 浅析SiC-MOSFET](http://blog.zy-xcx.cn/zb_users/upload/2020/11/202011081604820882886004.png)
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内应用看...
SiC和GaN材料特性/器件/应用场景的简单分析
国内目前很少有原理性的SiC和GaN对比的科普文章，因此本文对相关信息进行了搜集和总结，希望有所帮助。作者在半导体材料和器件方面并不专业，如果内容有错误和缺漏还请指出。宽禁带半导体(WBG) SiC/...
工程师两难之GaN还是SiC？到底该pick谁？
氮化镓晶体管和碳化硅 MOSFET是近两三年来新兴的功率半导体，相比于传统的硅材料功率半导体，他们都具有许多非常优异的特性：耐压高，导通电阻小，寄生参数小等。他们也有各自与众不同的特性：氮化镓晶体管的...
SiC材料有哪些卓越的性能？
上世纪四五十年代，以硅(Si)和锗(Ge)为代表的第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。经过几十年的发展，硅材料的制备与工艺日臻完美，Si基器件的设计和开发也经过了多次迭代和优化，正在逐渐接近硅材料...