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60 篇文章 0 次评论Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)
首先，我们来看下什么是SIMS？ 技术原理（https://www.ma-tek.com/zh-cn/services/index/Pro_category_06）材料经由...
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）详解
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热...
碳化硅MOSFET有哪些优势？
通过SiC系列的文《SiC材料到底“cool”在哪里？》，我们了解到了SiC材料本身的卓越性能。那么，使用SiC材料做成的器件又会有什么过人之处呢？接下来就让我们一探究竟吧。相比Si IGBT，Coo...
后FinFET时代，晶体管将走向何方？
编者按：进入最近两个月，因为三星3nm的大进步，还有台积电宣布在5nm乃至3nm进展，2nm规划，这就引发了大家对晶体管未来的担忧。那么究竟到了1nm之后，制程世界需要怎样的支持？未来的工艺技术又会走...
为什么IC是方的晶圆却做成圆的?
来源：吴川斌的博客最近看到台积电的3nm晶圆厂确定选址在台湾南部科学工业园区台南园区的消息，报道中的一张贴图引起了老wu的兴趣。图片显示的是台积电的工作人员手捧晶圆的照片，晶圆是圆形的，我们见过的IC...
对Fab PIE 的最确切解读
谨以此帖献给那些在Fab 拼搏的PE和EE们.其实PIE也是不容易的! PIE确实不容易，这句话作为开场白。 很多人都想做PIE，包括应届生，有经验的module，我想原...
绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限...