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博主2021-07-21半导体行业27820

公开课:​微电子工艺 视频教程

公开课:​微电子工艺 视频教程
通知:智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持,小编将继续努力推出更有深度,更有品质的博文,敬请期待。微电子工艺是一门介绍半...

第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]

第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]
通知:智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持,小编将继续努力推出更有深度,更有品质的博文,敬请期待。碳化硅(SiC)材料是...

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾[转]

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾[转]
碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由...

PECVD SiNx 薄膜应力的研究

PECVD SiNx 薄膜应力的研究
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子...

炉管(Furnace)设备工艺经验8年笔记

博主2021-01-30半导体技术精帖201000
炉管(Furnace)设备工艺经验8年笔记
通知:智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持,小编将继续努力推出更有深度,更有品质的博文,敬请期待。Furnace IntroductionØ...

Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)

Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)
       首先,我们来看下什么是SIMS?        技术原理(https://www.ma-tek.com/zh-cn/services/index/Pro_category_06)材料经由...

LPCVD多晶硅(Poly)的形貌和显微结构研究

LPCVD多晶硅(Poly)的形貌和显微结构研究
        研究了低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅薄膜的形貌和微观结构与沉积条件的关系。                      沉积温度为540~640℃,沉积态多晶硅薄膜表面粗糙,具有(...

关于碳化硅SiC栅氧(Gate Oxide)以及NO 退火

关于碳化硅SiC栅氧(Gate Oxide)以及NO 退火
1. Introduction       我们生活在一个能源匮乏的世界,在这个世界上,工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求,现在大约每40年翻一番。今天,我们消耗约18太瓦(18×101...

理解微电子中的FinFET结构

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转:一文看懂IGBT的七代发展史

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来源:内容来自「英飞凌工业半导体」,作者:赵佳 ,谢谢。话说公元2018年,IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人,一时风头无两,各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些...