LPCVD多晶硅（Poly）的形貌和显微结构研究

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        研究了低压化学气相沉积（LPCVD）多晶硅薄膜的形貌和微观结构与沉积条件的关系。              

        沉积温度为540～640℃，沉积态多晶硅薄膜表面粗糙，具有（110）织构柱状晶粒结构，而沉积态非晶薄膜表面光滑。在非晶到多晶转变温度下沉积的多晶硅薄膜表面粗糙，粗糙，具有（311）织构。在转变温度下，随着沉积压力和薄膜厚度的增加，晶粒结构由多晶向非晶转变。研究发现，非晶薄膜在不破坏真空的转变温度下进行原位退火时，其形核是从表面硅原子的迁移开始的，而在薄膜沉积过程中则是非均匀形核。              

1介绍              

        由硅烷（Sill4）低压化学气相沉积（LPCVD）形成的多晶硅（polyslicin silicon）薄膜在集成电路中被广泛应用于MOS栅极、互连、电阻和发射极触点等。其他应用包括光电转换、热传感器和机械传感器，以及用于大面积液晶显示器（lcd）的薄膜晶体管（TFT）。多晶硅的电性能主要取决于其微观结构，而微观结构又取决于沉积参数[1-4]。许多作者研究了沉积态多晶硅或沉积态非晶硅的电学性质[5,7]