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[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解

[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解
好的,我们来详细解释一下碳化硅(SiC)功率器件制造工艺中的核心材料——碳化硅同质外延片,以及您提到的关键概念和工艺。核心概念解析: 4H-SiC: 这是碳化硅最常见的多型体(晶体结构的一...

LPCVD TEOS 与 PECVD TEOS 的综合对比

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公开课:​微电子工艺 视频教程

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第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]

博主2021-04-10半导体行业故事114960
第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]
通知:智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持,小编将继续努力推出更有深度,更有品质的博文,敬请期待。碳化硅(SiC)材料是...

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾[转]

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾[转]
碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由...

PECVD SiNx 薄膜应力的研究

PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子...

炉管(Furnace)设备工艺经验8年笔记

博主2021-01-30半导体技术精帖289180
炉管(Furnace)设备工艺经验8年笔记
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Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)

Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)
       首先,我们来看下什么是SIMS?        技术原理(https://w...

LPCVD多晶硅(Poly)的形貌和显微结构研究

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        研究了低压化学气相沉积(LPCVD)多晶硅薄膜的形貌和微观结构与沉积条件的关系。   &nbs...

关于碳化硅SiC栅氧(Gate Oxide)以及NO 退火

关于碳化硅SiC栅氧(Gate Oxide)以及NO 退火
1. Introduction       我们生活在一个能源匮乏的世界,在这个世界上,工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求,现在大约每40年翻一番...