关于碳化硅SiC栅氧（Gate Oxide）以及NO 退火
1. Introduction
我们生活在一个能源匮乏的世界，在这个世界上，工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求，现在大约每40年翻一番。今天，我们消耗约18太瓦（18×1012瓦），相当于970亿桶原油每年加油。而可再生能源提供了一种环保的替代能源化石燃料仅占总量的10%左右[64]。伴随着清洁能源，必须努力抑制消费，这在一定程度上可以通过提高系统效率。在本节中，我们将从这样的角度讨论运输、发电和配电等部门可以从中受益碳化硅基电子学。
首先，应当认识到，采用新技术的主要动力是组件成本和最终用户利益。碳化硅电子也不例外如果它能在这些方面发挥作用，那就有意义了。一个很好的例子是最近引入的更昂贵的荧光光源，从长远来看是有经济意义的，因为它们事实证明，这只消耗了白炽灯泡的一小部分能量，而且寿命延长了20倍这种效率和可靠性可以证明投资的合理性。那么，关键参数是什么影响SiC器件的成本和效率？成本-基板尺寸和可用性已受益于LED需求的繁荣，因为在SiC衬底上可以制备III族氮化物蓝二极管。事实上，直径从两英寸（50毫米）晶圆的释放开始，可用的基板稳步增加1997年9月至2012年8月6英寸（150毫米）晶圆的最新发布由Cree，inc.提出，与Si演进相比，这是一个非常快的步伐[100]。而且，质量非常好在提高加工速度和均匀性的同时，也取得了一些改进。一个碳化硅生产所面临的许多挑战之一是减少扩展缺陷，如作为微管[29，49]。今天，基板基本上没有这种缺陷，优化了设备的产量。因此，需求和生产成本逐步压低了产品的价格这种材料已经转化为更便宜、更高质量的光电元件以及高功率应用。
图1。在给定的阻断电压下，SiC基fet相对于Si器件的直流效率。在商用时不使用退火热栅氧化物的开关提高了效率，建议使用沉积氧化物达到最佳性能[109]。
效率——虽然投资成本已经
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