5G和新能源汽车应用爆发在即，原厂争先布局SiC、GaN (转)

受材料特性所限，硅器件各方面的性能已经接近理论极限，此背景下，宽禁带半导体材料的应用受到关注。这类材料中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的发展相对更成熟，氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）等材料的研究尚在起步阶段。随着新能源汽车的普及和5G的商用，厂商针对SiC或GaN做了新的布局。

新能源车带动SiC市场

目前，车用功率模块的主流材料是IGBT。据了解，IGBT的成本约占驱动系统成本的一半，电机驱动系统约占全车成本15%-20%，因此IGBT在一辆电动汽车中约占8%-10%的成本。据德勤预测，2020年全球新能源车销量将达到400万辆，2025年达到1200万辆，2030年达到2100万辆。由此可知，未来十年内车规级功率器件将有更大的空间。

值得注意的是，IGBT的下一代SiC技术已经崭露头角。SiC能将新能源汽车的效率再提高10%，使用SiC工艺生产的功率器件的导通电阻更低、芯片尺寸更小、工作频率更高，并可耐受更高的环境温度。为此，全球领头厂商均发力车规级SiC。

·各厂商SiC技术布局情况

罗姆半导体（北京）有限公司设计中心所长水原德健对

罗姆半导体（北京）有限公司设计中心所长水原德健对《国际电子商情》分析师透露，罗姆已经在SiC生产中确立了垂直统合生产体制。2009年，该公司收购了德国单晶晶圆制造商SiCrystal，构建起从SiC原材料到晶体生长、晶圆加工、检测的晶圆一条龙生产体制。2010年，罗姆开始量产SiC功率元器件，现在主要有SiC-SBD、SiC-MOSFET和全SiC功率模块系列产品。

2018年，汽车电子和工业设备约占罗姆整体营收的48%。预计到2020年，这两个业务将占全部营收的51%。根据规划，罗姆专注的三大产品群分别是大功率产品、模拟、标准产品。