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碳化硅强在哪里?

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        硅早已是大多数电子应用中的关键半导体材料,但与SiC相比,则显得效率低下。SiC现在已开始被多种应用采纳,特别是电动汽车,以应对开发高效率和高功率器件所面临的能源和成本挑战。

        电力电子朝向碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等宽能隙(WBG)材料发展,虽然硅仍然占据市场主流,但SiC与GaN器件很快就会催生新一代更高效的技术解决方案。

        SiC组件的知名供货商包括意法半导体(ST)、Cree/Wolfspeed、罗姆、英飞凌、安森美(OnSemi)以及三菱(Mitsubishi Electric)。

        Cree推出了首款商用900V SiC功率MOSFET以及Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合;Microchip和ROHM均已发布SiC MOSFET和二极管;英飞凌在推出了8款650V CoolSiC MOSFET器件......由此看出各大厂商在SiC材料方面均有所布局并有着自己的发展策略。

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