光源系统的演进脉络光刻机的光源波长直接决定了光刻分辨率。从最初的 g-line（436nm）到 i-line（365nm）的紫外光源，再到深紫外（DUV）的 KrF（248nm）、ArF（193nm），最终发展到极紫外（EUV，13.5nm），光源波长每一次缩短都推动制程节点进入新的时代。例如，ASML 的 EUV 光刻机采用激光诱导等离子体（LPP）技术，通过每秒 5 万滴熔融锡珠的两次激光冲击生成 EUV 光，其光源功率需稳定在 250W 以上才能满足量产需求。
光学投影系统的精密性光学系统是光刻机的 "眼睛"，ASML 的 EUV 光刻机配备由德国蔡司制造的多层反射镜，其表面粗糙度需控制在 0.3nm 以内，反射率超过 98%。镜头的数值孔径（NA）从 DUV 的 1.35 提升至 High-NA EUV 的 0.55，配合沉浸式光刻技术，可将 193nm 波长等效缩短至 134nm，实现 7nm 以下制程。
精密运动与对准系统光刻机的双工件台系统需实现纳米级定位精度。例如，ASML 的 Twinscan 平台采用气浮轴承和激光干涉仪，硅片与掩膜版的同步扫描速度可达 200mm/s，套刻精度（Overlay）控制在 1.2nm 以内。尼康的 NSR-S636E 浸没式光刻机通过动态焦点控制技术，将套刻精度提升至 2nm。
光刻胶与显影工艺光刻胶的感光灵敏度和分辨率直接影响图形转移质量。EUV 光刻需使用化学增幅型光刻胶（CAR），其线宽粗糙度（LWR）需控制在 1nm 以下。显影过程中，临界尺寸均匀性（CDU）的偏差需小于 3%，否则会导致芯片性能波动。
