Moore’s Law: 浓缩就是精华！（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）
但凡对半导体这个行业有点了解的，应该都懂摩尔定律(Moore's Law)，这也是个魔咒。这是70年代Intel创始人Gordon Moore在60年代提出来的黄金定律，被业界遵循为黄金定律，也是从那个年代开始我们世世代代的半导体人都为之疯狂，这就是为什么这个行业的人压力那么大的原因。
--Small is Beautiful！浓缩就是精华！
说起摩尔定律，大家一定比我会背：每18个月(后来修正到18~24个月)，单位面积的晶体管数目需要增加一倍，当然换算到Cost就是降低一半了，曾经有人无聊的算过一笔账，如果按照摩尔定律的速度，现在那些奔驰宝马也就几分钱。但是你知道这个定律的描述如何和我们的0.5um、0.35um、0.25um....90um、65um、45nm、28nm等关系吗？我们每个节点都是一个generation，而每个generation如何实现面积减小一半？因为我们需要面积缩小一半，也就是50%，那样边长需要缩小多少？是不是70%？这样才能70%*70%从而达到50%的面积节省，所以就有了0.5um*70%到0.35um，0.18*70%=0.13um就这么来的，简单吧。
当然实际过程中，你们也经常会看到从0.18um会到0.16um，甚至有0.15um，然后才到0.13um，对吧？为什么不直接到跳0.13um呢？因为从0.18um直接到0.13um跨度太大，很多技术挑战不能一下子实践，所以业界都是摸石子过河，先一步步90% shrink，通过shrink发现工艺过程中的问题，逐个解决再最终完成70% shrink。比如当年的0.35um到0.25um的变化就是最经典的，可以说出一箩筐的问题(STI, Poly, GOX, Poly, TiSix都变了)。从0.18um shrink到0.13um最经典的也是OD SiN的pull back，再往下shrunk还有SiN linear等等 (这些我们后面讲flow再跟大家分享)。其实大家自己去看看你们公司的各technology的flow加上你们的聪明才智，应该都能理解的。这就是为什么我让新人学习flow一定要让他们横向比较给我讲为什么。
好了，接下来我们讲一下在制程上，我们除了poly特征尺寸shrink了70%外，还有那些制程参数也必须要shrink。
1) GOX厚度：不管我们怎么shrink，我们要保证的是电流驱动能力，也就是单位宽度下的饱和电流(Ion/W)。为了满足这个那我们的等比例降低GOX厚度，这样才能保证足够的跨导(Gm)来驱动沟道电流。所以知道为啥0.5um时候是120A，到0.35um的时候是70A了吧？
2) Junction深度：因为你的沟道长度shrink了，如果你的节深不变，那横向扩散是不是更加严重？那更容易punch through和DIBL (Drain Induced Barrier Low)了，而且节电容导致的RC delay也会越严重。所以Junction也需要等比例缩小。
3) 隔离区(LOCOS/STI)，为了面积，所以所有的平面必须都要等比例缩小，才能保证每个单位晶体管面积缩小，当然包括隔离区了，所以说指甲盖大小的区域真是寸土寸金啊。这就是为什么后来发展到0.25um要用STI制程，再到0.18um要使用bordless contact的原因了。
4) Contact/Via/Metal等互连：曾有人算过，因为互连占用掉的芯片面积将近30%，所以如果互连不等比例缩小，那你肯定也无法降低面积吧。
5) 工作电压(Vcc)：如果我的沟道长度都小了，GOX也薄了，你电压不等比例缩小，它也撑不住啊。所以电压也必须要等比例缩小0.5um时候是5V，0.35um的时候是3.3V，0.25um时候是2.5V等等。
6) 工作频率：得益于节深减小，互连减小，所以寄生(parasitic)电容减小，所以频率自然就高了，开关速度也快了。电路速度也就快了。
7) 电阻：这个没办法缩小，因为implant的Si总是会饱和，而且implant的Si即使饱和了也会有70~80ohm/sq，所以只能靠金属硅化物了(TiSix->CoSix->NiSix)
8) 功耗：得益于工作电压(Vcc)减小，以及互连电阻的减小，所以功耗自然就减小了。
历史上，每个节点时代(Technology node/Technology generation)的诞生除了带来Unit cost的变化，还会带来~30%性能的提升，也是通过上面那些功耗和频率等效能计算出来的。
再来讲讲等比例缩小带来的问题：
1) 亚阈值漏电(Subthreshold Leakage)：--"Off" is not "Real Off"。等比例缩小，我是不是Vt也一直无限缩小，为啥不是直接就10mV？答案是不可以的，因为Vt越小，有可能带来的问题是亚阈值漏电增加，你会增加Standby current或者Static power consumption，待机时间还能久吗？用着能不发热吗？对吧。
2) Vt roll-off: 短沟管不断，这是短沟道效应，前面有提到就不说了。当然可以通过pocket implant来抑制。
3) 栅极漏电(Gate Leak): GOX减薄自然容易发生隧穿，所以漏电流Ig自然就增大。所以需要提高介电常数，比如N2O氮化。
4) Ion/Ioff trade-off: 这个比较容易理解，刚讲过Vt比较低容易有亚阈值漏电，但是Vt比较低容易得到比较高的Ion，所以到底取Vt比较高好还是比较低好？这真是一个Trade-off的好学问，鱼和熊掌不可兼得。
最后再讲一下摩尔定律的延伸，这现年大家为了摩尔定律太累了，不知道什么时候是个头？现在也该到头了，再不到头马上都要到小于原子直径了，所以都在寻求新的方向。于是有了MtM (More than Moore)。比如2.5D封装和3D封装技术，既然横向没法了，那我就朝空间去发展，甚至有System in Package等等。这确实是个不错的idea，所以这个创意上有了FinFET，把Gate做成竖起来的，这样L减小了，但是Leff增大了，所以抑制了短沟到效应的一系列问题。
Intel自己也不打算一直引领摩尔定律了，这些年跑得很辛苦，所以早在8年前，他们就开始走另外一套定律叫做“Tick Tock”。在每次“tick”周期中，英特尔会引入尺寸更小的制造工艺。而在每次“tock”周期中，英特尔的芯片架构和性能将得到改进。因为设计改善性能远比制造投资小得多，而且也能够为自己gain到时间吧，也许正是因为有了tock的借口，所以Intel在制程的开发上动力不足，快被我们赶超了。
不管怎么样，时代是在进步的，7nm时代也即将来临，新的代沟又要产生了。呵呵~
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