专题-1: Unit Process–Photolithography （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 

随着半导体特征尺寸(Moore's Law)下降，需要越来越小的波长得到更小的曝光线宽(大波长容易衍射)。5、6寸时代都是g-line/i-line，8寸开始i-line/DUV了。

HMDS是一种蒸汽，在Coat光阻之前必须在HMDS蒸气中熏一会，有助于光阻的表面粘附性(Contact Angle)，Coat光阻后需要soft_bake，将光阻里面的有机溶剂蒸发掉，然后再去曝光(分stepper和Scanner)，曝光完也要PEB烘烤一下，再去显影/烘烤.

R表示Resolution，是指最小成像的线宽，所以越小越好

DOF表示胶深(Depth_of_Focus)，表示能够曝光穿透的光阻厚度，所以当然是越深可以容忍的光阻越厚。

所以在 实际情况下，R和DOF总是互相抑制并寻求最理想情况。

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