如何查Vt shift的Case？MOSFET开启电压(Vt)的制程因素！（转）

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本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）

很久没有写文章了，客观原因是电脑坏了，主观原因是不知道写什么。类似我们的学习，我们很想好好学习，很想像某人一样功成名就，每个人都是上进的，科学的方法和明确的计划才是最重要的。看来我的反思如何把《芯苑》走的更远，希望大家能够给我些建议，我自己蠢就得求助你们！

好了，先把今天的课题讲完吧，前面很长一段时间都在讲栅极 (栅极材料以及介质)，这些直接决定了MOSFET的开启电压，也是MOSFET的心脏。可是我们今天就反过来讲讲这个开启电压到底有那些制程因素影响？实际process过程中，我们要如何查找Vt shift的case？

开启电压，先讲讲这个东西怎么测的吧？我这个人还是喜欢从理论研究起，这样后面讲的东西比较不会显得轻浮枯燥。前面我们已经讲过MOSFET的原理就是在栅极加电压，通过GOX耦合作用在下面的沟道区反型(inversion)形成沟道使得源漏导通，很自然的定型的理解：开启电压就是让沟道反型，连接源漏区。那什么时候算开启？稍稍漏电流就算？还是完全开启才算？这就是Vt的测试标准。