浅谈MOSFET有多少种“击穿”？（转）

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本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）

我们前面讲了很多MOSFET的开启电压(Vt)，线性区/饱和区等等的特性，这些是我们设计这个器件具备的最基本的特性，但是一个器件除了要完成它的使命外，还要能经得起风雨扛得起击穿，它同样也是我们器件设计者必须要考量的因素之一，今天我们就来讨论下MOSFET的击穿有哪几种？(这里不讲栅极GOX击穿了啊，只针对漏极电压击穿)

先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。

1) Drain->Source穿通击穿: 这个主要是Drain加反偏电压后，使得Drain/Bulk的PN结耗尽区延展，当耗尽区碰到Source的时候，那源漏之间就不需要开启就形成了通路，所以叫做穿通(punch through)。那如何防止穿通呢？这就要回到二极管反偏特性了，耗尽区宽度除了与电压有关，还与两边的掺杂浓度有关，浓度越高可以抑制耗尽区宽度延展�¼