解读SiC MOSFET关键参数——Rds(on)

又称单位面积内的导通电阻，可以更快的衡量一款芯片的设计水平。

定义：Rsp即比导通电阻值，是指器件的导通电阻与芯片有源区面积的乘积。它代表了在单位面积下，器件导通时所呈现的电阻值。

计算方式：通常情况下，比导通电阻可以通过公式 Rsp = Rdson × 有源区面积来计算。

意义：Rsp 的数值越小，表明技术水平越高。也就是说，在相同的导通电阻值下，所需的芯片面积越小，这对于减小器件尺寸和提高集成度非常关键。

应用：如果给定了电流密度（Id），可以使用 Rsp × Id 来计算电压降。这有助于评估在特定电流下器件的性能表现。

今天我们一起探讨了MOSFET中的一个重要参数——导通电阻（Rdson），了解了他的各部分组成及其具体计算方式。正如我们所见，一个低Rdson的MOS管在传导相同电流时产生的热量更少，这对于提高能效和保障电子系统的可靠性至关重要。无论是在开关电源、电机驱动还是其他高电流应用场景中，优化Rdson始终是设计高效、稳定电路的核心目标之一。