专题-2: Unit Process–ThinFilm（转）

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本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 

ThinFilm(薄膜)主要包含CVD和PVD，CVD（Chemical Vapor Deposition)主要依靠反应气体在等离子体电离能量下，化学分解反应，主要用语后端温度比较低(~400,450C)。而PVD(Physical Vapor Deposition)主要是用来金属沉积，因为很少有金属的气态化合物分解产生单质金属，除了MOCVD的钨(W)和Damascene的铜(Cu)制程。主要依靠直流溅射顶部的金属靶材是的金属原子撞击落下。