专题-2: Unit Process–ThinFilm（转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 

ThinFilm(薄膜)主要包含CVD和PVD，CVD（Chemical Vapor Deposition)主要依靠反应气体在等离子体电离能量下，化学分解反应，主要用语后端温度比较低(~400,450C)。而PVD(Physical Vapor Deposition)主要是用来金属沉积，因为很少有金属的气态化合物分解产生单质金属，除了MOCVD的钨(W)和Damascene的铜(Cu)制程。主要依靠直流溅射顶部的金属靶材是的金属原子撞击落下。

CVD的几个重要参数（下corner 90度，上corner 270度，表面180度，所以沉积速率不一样导致）：

1、侧壁Step Coverage: 底部最薄处除以顶部厚度比值 (b/a)

2、底部Step Coverage: 底部最薄处除以顶部厚度比值(d/a)

3、保角性(Conformity): 底部厚度除以上corner厚度 (b/c)

4、肩膀突出(Overhang): 上肩膀厚度减去底部侧壁厚度之差除以底部厚度(c-b)/b

5、纵宽比(Aspect Ratio)：金属高度除以space(h/w)，用于衡量gap fill能力。

6、D/S ratio (deposition/Sputter) : 常用于HDP的制程，因为通常的CVD在上口先封口，所以会产生空洞，必须在沉积过程中有plasma轰击是的上口的封口打开。

各种film的summary:

这里面还没有包含Low-K物质，FSG的介电常数~2.7，在0.18um以下制程会降低金属互连的电容，减小R*C delay。

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