IGBT理论与实践–实用篇 （转）

本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）

之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”，今年一下子火了。所以趁热打铁吧，继续来点干货吧。

资料比较零散，想到哪写到哪，但是绝对没有废话。实在是工作生活都很忙，没时间搞那些排版什么的，大家将就看了啊。

回顾一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET导通，产生Drain-to-Source的电流，而这个电流同时也是BJT的基区电流(Ib)，而Ib*Rb就是BJT的Vbe，所以只要MOSFET一旦turn-on，这个Vbe一定很容易就大于0.7V了，所以这个BJT的Vbe就导通了，此时BJT管就导通进入放大区了(发射结正偏，集电结反偏)。