1. Flow: Well-->GOX-->POLY-->LDD/Halo-->Spacer-->S/D_IM-->S/D_Anneal

2. SIMS图: 决定半导体器件的特性，主要来自各个区域的掺杂浓度，前两张分别是N/PMOS的沟道区从表面到Well下面的各种杂质的浓度分布。最后一张为S/D经过Anneal后的浓度分布。

3. 器件特征: 随着沟道长度(L)的变化Vt的变化趋势，当沟道长度大于0.5um时，沟道长度随L的变化不大。但沟道长度小于0.2um的时候Vt是随着L减小先升高后降低(Reverse Short Channel Effect，另开topic讲解)。