半导体晶圆制造基础知识
1. ZERO OXIDE 的作用是什么？
第一是为后序的ZERO PHOTO时做PR的隔离，防止PR直接与Si接触，造成污染。
PR中所含的有机物很难清洗。
第二，WAFTER MARK是用激光来打的，在Si表面引致的融渣会落在OXIDE上，不
会对衬底造成损伤。
第三是通过高温过程改变Si表面清洁度。
2. ZERO PHOTO的目的是什么？WAFER MARK是否用光照？
ZERO PHOTO是为了在Si上刻出精对准的图形，ASML stepper system requires a zero mark for global alignment purpose。WAFTER MARK不用光照，用LASER刻出WAFTER的刻号。
3. STI PAD OXIDE 的作用是什么？厚薄会有什么影响？用什么方法生长？
NITRIDE的应力很大，直接淀积到SI上会在SI表面造成位错，所以需要一层OXIDE
作为缓冲层，同时也作为NITRIDE ETCH时的STOP LAYER。如果太薄，会托不住NITRIDE,对衬底造成损伤，太厚的话在后序生长线氧时易形成鸟嘴。PAD OXIDE是用湿氧的方法生长的。
4.STI NITRIDE的作用是什么？为什么要精确它的厚度？
NITRIDE是作为STI CMP的STOP LAYER。NITRIDE的厚度要精确控
制，一方面与PAD OXIDE,SiON,ARC的厚度相匹配，很好的控制exposure时的折射率,厚度为1625A时的CD control最好；另一方面与BIRD’S BEAK的形成有关。如果NITRIDE太厚，BIRD’S BEAK会减小，但是引入Si中的缺陷增加；如果加厚PAD OXIDE，可减小缺陷，但BIRD’S BEAK会增加。
5.在STI ETCH中SION的作用是什么？在整个0.18um SRAM FLOW 中SION厚度有几个？
STI ETCH之前DEP了一层SION,目的是为了降低NITRIDE的反射率，作为ARC。在
整个0.18um SRAM FLOW 中SION的厚度有3个：320A,400A,600A。
6.在STI HDP前LINER-OXIDE的作用是什么？
LINER OXIDE是用热氧化的方法生长的。一方面在STI ETCH后对SI会造成损伤，生
长一层LINER OXIDE可以修补沟道边缘Si表面的DAMAGE；在HDP之前修复尖角，减小接触面，同时HDP DEPOXIDE是用PLASMA,LINER OXIDE也作为HDP时的缓冲层。
7：HDP DEP原理？
A：在CVD的同时，用高密度的PLASMA轰击，防止CVD填充时洞口过早封死，产生空洞现象，因为有PLASMA轰击，所以HDP后要有RTA的步骤。
8：为什么HDP DEP后要有RTA？
A：因为HDP是用高能高密度的PLASMA轰击的，因此会有DAMAGE产生，要用RTA来消除。
9：为什么在STI CMP前要进行AR PHO 和ETCH BACK？
