专题-1(Adv): Unit Process–Lithography (微影制程) （转）
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最早的《专题1》讲的是光刻入门，其实就是个概念。后面逐渐各项制程都慢慢进入第二轮稍微深入一点，希望能够把书本理论讲完吧。黄光我做的比较少，还是以前调机的时候David天天逼着我去搞Nikon G7，还要拿个摇杆手动对位，X,Y, Theta无聊死了~~不过老板每次都要考核，所以还是好好学习吧，至少是个态度。
Photo或者Photolithography再或者直接叫Lithography/Litho，都是一个意思，在大陆叫光刻，台湾叫微影制程。也有土包子叫黄光的，因为光刻区都是用黄色的灯管照明，因为光阻对黄色光不敏感，不会产生光化学反应。半导体摩尔定律(Moore's Law)一路走来就是靠光刻把图形曝出来，就是大家耳熟能详的28nm, 14nm, 10nm, 7nm。。。
简单回顾下光刻的几个步骤，HMDS处理-->涂光阻(PhotoResist Coating)-->软烤(Soft bake)-->曝光(Exposure)-->显影后烘烤(PEB/Post Exposure Bake)-->显影(Develop)-->坚膜(Hard Bake)-->ADI/ADICD-->下一道制程(Implant/Etch)。下面开始每个步骤详细讲解吧。
1. HMDS Treatment：光这个就可以写很多，这玩意只用于正光阻(Positive PR)，不需要用于负光阻(Negative PR)。(等下讲涂光阻再讲什么叫正光阻和负光阻)。记住我们的光阻接触wafer表面的要么是oxide(不可能是Si哈，想想为什么？)，要么是Metal。而Oxide是亲水的(Hydrophobic)，表面很容易吸附羟基和残留水分，而正光阻的物质是DNQ(重氮萘醌)，是属于酚醛树脂类，不溶于水(Hydrophilic)，所以正光阻涂在wafer表面肯定粘附性不好(而负光阻是醇类、酯类，它是溶于水的，所以跟oxide表面有很好的吸附性)。如果粘附性不好，等下显影的时候，显影液就进入界面，导致光阻图形漂移(Lifting)或蚀刻corrosion。为了让wafer表面和光阻吸附比较好，必须改变wafer表面特性为斥水性(Hydrophilic)，所以需要用HMDS(Hexamethyldisilazane/六甲基二硅氮烷)处理表面。这里有个专业评估的指标叫做接触角(Contact Angle)，一般要求大于75度。
2. 涂光阻(PR Coating)：
1) 成分(Components):
聚合物(polymer)：固态聚合物作用是抗蚀刻和注入。
溶剂(Solvent)：用于溶解光阻，不然你固态的也涂不上去哇。
