英飞凌高管谈碳化硅

根据IHS的数据预估，今年的SiC（碳化硅）市场总额将会达到5000万美元，到2028年将飙升到1亿6000万。其中在电动汽车充电市场，SiC在未来几年的符合增长率高达59%；在光伏和储能市场，SiC的年复合增长率也有26%；而在电源部分，这个数字也有16%。整体年复合增长率也高达16%。

能获得这样的成长表现，与SiC本身的特性有关。

英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区开关电源应用高级市场经理陈清源告诉记者，市场追逐SiC，主要是看好他们在带隙、击穿场强、热导率和电子漂移速度等几个方面的特性。

据介绍，在带隙（band gap）方面，碳化硅是硅材料的大概三倍；在单位面积的阻隔电压的能力方面，碳化硅更是硅的7倍；碳化硅的热导率也是硅的大概3倍多；电子漂移速度也比硅快一倍。

因为拥有这些特点，碳化硅器件能够拥有更高的温度和电压、更高的饱和速度、管子在开通和关断的速度也更快。再者，电源在工作过程中，不可避免地有损耗，从而产生热。而这个高热导率则可以把器件中的热带出来，让功率处理能力更强。

SiC的以上这些特性可以让我们做出更加轻薄短小的功率器件。对电子设计工程师而言，那就意味着他们在硅器件上碰到的问题都迎刃而解了。有了更好的材料，加上他们更聪明的头脑，更好的控制方式，就可以设计出更好的电源。而这正是英飞凌过去一直在做的事。