半导体行业入门学习笔记分享

硅片的制备：

生产半导体级的硅（SGS）

1.     用碳加热硅石制备冶金级的硅

   SiC(s)+SiO2(s)——Si(l)+SiO(g)+CO(g)

2.     将硅提纯生成三氯硅烷

   Si(s)+3HCI(g)——SiHCI3(g)+H2(g)+加热

3.     利用西门子方法，通过三氯硅烷和氢气反应生成SGS

   2SiHCI3(g)+2H2(g)——2Si(s)+6HCI(g)

生长单晶硅

CZ法：把融化了的半导体级硅液体变为有正确晶向的固体硅锭。

区熔法：纯度高，直径小。

更大的晶圆——更高的生产效率和更高的生产成品率

成品率=好芯片/总芯片

硅片中的晶体缺陷

点缺陷：空位缺陷、间隙原子缺陷、Frenkel缺陷（受生长速率和温度梯度影响）

位  错：不均匀的受冷或者受热以及超过硅片承受范围的应力

层  错：生产过程中的热影响或机械振动