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化合物半导体是指由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等。作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其更接近绝缘体，在适应高温（500℃以上）、高压（600V-1000V）、高频、高电流密度场景及低损耗方面具有明显的优势，所以在卫星、高铁、雷达、发电、输变电、照明等领域中有着不可替代的地位。

目前，虽然近年来中国在化合物半导体领域有突破性的进展，但国外企业依然是化合物半导体产业的构成主体。以下从晶圆制备（进一步细分为衬底制备和外延片制备两部分）、芯片设计、芯片制造以及芯片封测等环节来分析。

GaAs半导体产业：参与者多为Skyworks、Qorvo、Avago等国外IDM厂商。

衬底制备、外延片方面，日本处于领先地位。晶圆制备方面，全球GaAs衬底出货量将保持�¾