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FinFET简介（转）
FinFETFinFET简介FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技...
静电保护(ESD)原理和设计–Part-2 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）随着摩尔定律的进一步缩小，器件尺寸越来越小，结深越来越浅，GOX越来越薄，所以静电击穿越来越容易，而且在Advance制程...
静电保护(ESD)原理和设计–Part-1 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。但是由于理论性太强，如果前面那些器件理论以及snap-back理论不懂的...
经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMO...
解剖CMOS门电路–《与非门》 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）CMOS是半导体制造或者器件的最basic，所以我选择专题讲解CMOS与非门，从CMOS与非门的工作原理到电路分析到芯片解...
MOS器件理论之–DIBL, GIDL （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几乎讲了MOS的结构原理，热载流子(HCI)，穿通(Punch Trough)，亚阈值(Swing/St)，长沟、短沟...
MOS器件的深度解析 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性，但是随着尺寸越来越小，电压越来越，很多我们可以忽略的寄生特性(Parisit...
CMOS器件进阶版讲解 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍，应该能够建立起比较基础的认识了，下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关...
《Bipolar/三极管》的深度解析（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 编者注：感谢老唐，让我暑假加入重庆邮信半导体，我喜欢动手其乐无穷，那时候虽然做的3inch，7um的Bipolar，在金...