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博主2021-07-21半导体行业26430

MOS器件理论之–DIBL, GIDL (转)

MOS器件理论之–DIBL, GIDL (转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)前面几乎讲了MOS的结构原理,热载流子(HCI),穿通(Punch Trough),亚阈值(Swing/St),长沟、短沟...

MOS器件的深度解析 (转)

MOS器件的深度解析 (转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)前面几节几乎从结构上介绍了MOS的原理和特性,但是随着尺寸越来越小,电压越来越,很多我们可以忽略的寄生特性(Parisit...

CMOS器件进阶版讲解 (转)

CMOS器件进阶版讲解 (转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关...

CMOS器件历史浅析–扫盲版 (转)

CMOS器件历史浅析–扫盲版 (转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)【***剩余70%为付费内容,支付后可查看***】...

《Bipolar/三极管》的深度解析(转)

《Bipolar/三极管》的深度解析(转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留) 编者注:感谢老唐,让我暑假加入重庆邮信半导体,我喜欢动手其乐无穷,那时候虽然做的3inch,7um的Bipolar,在金...

P-Si与N-Si的美丽邂逅–PN结 (转)

P-Si与N-Si的美丽邂逅–PN结 (转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)学习半导体器件,必须读懂PN结(PN junction),它是所有器件理论的基础,所以的器件都是靠PN结组成的,不学PN结...

集成电路制造技术简史 (转)

集成电路制造技术简史 (转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留) 集成电路的历史从1958年TI的第一颗Flip-Flop电路开始,那时...

《Silicidation》-难熔金属硅化(转)

《Silicidation》-难熔金属硅化(转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留) 随着半导体线宽的等比例缩小,从微米级到深亚微米到纳米级,由于R*C delay带来的延迟已经超过器件栅极延迟,...

Spacer/侧墙制程-由来已久! (转)

Spacer/侧墙制程-由来已久! (转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)【***剩余70%为付费内容,支付后可查看***】...

《LOCOS与STI》你真的知道吗?(转)

《LOCOS与STI》你真的知道吗?(转)
本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)我们的CMOS制程就是做出NMOS和PMOS,再复杂的电路对我们FAB来讲也就是NMOS+PMOS,那我们总不希望这两个M...