当前位置:首页 > 半导体行业 > 半导体技术精帖 > 正文内容

CMOS器件进阶版讲解 (转)

本文转自芯苑,ic-garden.cn (由于芯苑会经常关闭站点,故转载存留)

image.png

上一篇介绍了简单的MOS的历史和原理结构介绍,应该能够建立起比较基础的认识了,下面我们继续讲讲MOS的特性以及半导体人该关注的制程要点。

先简单回顾下MOS的重要参数开启电压,也叫阈值电压,英文叫做Threshold Voltage (Vth)。就是在栅极加电压,通过栅极氧化层的电场耦合效应在下面的沟道表面感应出与衬底/Well反型的掺杂,使得Source/Drain能够连接起来,我们称之为反型,而这个时候的栅极电压叫做开启电压(Vth)。所以很容易理解Vth跟GOX厚度/质量,以及衬底浓度有很大关系。(GOX越薄自然容易„

剩余70%内容付费后可查看

发表评论

访客

看不清,换一张

◎欢迎参与讨论,请在这里发表您的看法和观点。