为什么OD和Poly的AEICD那么重要？(转)

前段flow中非常key的两个尺寸一个是有源区尺寸"W"(OD or AA)，一个叫Poly长度"L"。这两个纠结的尺寸真正决定了半导体器件的性能，Isat=W/L*beta(Vd-Vt)^2。究竟"W"和"L"是如何影响器件的？原理又是什么？

简单讲就是：

LOCOS时代：W减小Vt增大；而L减小，Vt减小(w/o pocket)；

STI时代：W减小Vt减小，而L减小，Vt先增大再减小；

1）在LOCOS时代(>=0.35um): 因为LOCOS有鸟嘴，容易伸入poly下面，所以在W方向的沟道两边有鸟嘴伸进去充当了GOX，所以局部GOX变厚，当W变小时候，这个影响的%就不可忽略导致了Vt变大，这就是窄沟效应(Narrow width effect)。

a. 因为LOCOS都是在>=0.35um的制程，当通常沟道长度比较长，一般有了APT_IMP (Anti-Punch-Through)就够了，不需要pocket (45角注入)，所以单纯考虑DIBL效应导致了源漏势垒降低，所以L越小，则越容易使得源漏punch through，所以Vt越小。这就是我们讲的短沟效应(Short Channel Effect)。

2）当半导体制程发展到STI时代(<=0.25um)，因为没有了LOCOS的鸟嘴，取而代之的是STI的corner在沟道W方向的两侧，而因为STI corner的地方的GOX容易有thinning effect，这个区域附近的GOX比较薄，当W变小时容易发生与LOCOS相反的现象(W越小，Vt越小)，我们称之为：反窄沟效应(Inverse Narrow Width Effect)。

b) 在<=0.25um的device，因为DIBL效应太明显，不得不需要有一个45度角的pocket/Halo implant，来抑制DIBL(其实就是抑制drain的耗尽区punch到Source)。而这个halo/pocket imp的implant是与well同type的implant，在沟道L方向poly下面的区域的浓度会因为Pocket implant而提高，所以在L降低的时候会短暂性Vt升高(roll-up)，但时候继续降低沟道长度L的时候，因为DIBL占主导，导致Vt迅速降低。这就是著名的Reverse Short Channel Effect。