LPCVD TEOS 与 PECVD TEOS 的综合对比
LPCVD TEOS 与 PECVD TEOS 的综合对比1. 设备原理参数LPCVD TEOSPECVD TEOS反应环境高温（600-800°C）、低压（0.1-1 Torr）低温（200-400...
公开课：微电子工艺 视频教程
微电子工艺是一门介绍半导体集成电路制造技术的课程。我们每个人身边都会有几件电子产品，如电子钥匙、手机、平板电脑等，它们的核心部件都是集成电路芯片，通过本课程的学习能使大家了解这些芯片是如何做出来的，为...
第三代半导体材料之碳化硅（SiC）[转]
![第三代半导体材料之碳化硅（SiC）[转]](http://blog.zy-xcx.cn/zb_users/upload/2021/04/202104101618058024303976.png)
通知：智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持，小编将继续努力推出更有深度，更有品质的博文，敬请期待。碳化硅（SiC）材料是...
碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]
![碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]](http://blog.zy-xcx.cn/zb_users/upload/2021/04/202104101618057567679963.png)
碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由...
PECVD SiNx 薄膜应力的研究
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子...
炉管(Furnace)设备工艺经验8年笔记
通知：智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持，小编将继续努力推出更有深度，更有品质的博文，敬请期待。Furnace IntroductionØ...
Implant SIMS笔记(离子注入机二次离子质谱笔记)
首先，我们来看下什么是SIMS？ 技术原理（https://www.ma-tek.com/zh-cn/services/index/Pro_category_06）材料经由...
关于碳化硅SiC栅氧（Gate Oxide）以及NO 退火
1. Introduction 我们生活在一个能源匮乏的世界，在这个世界上，工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求，现在大约每40年翻一番。今天，我们消耗约18太瓦（18×101...