北方华创NMC508C刻蚀设备技术解析

北方华创NMC508C刻蚀设备技术解析
以下是针对北方华创NMC508C Poly ETCH刻蚀设备的详细技术解析,综合其工作原理、工艺原理及气体体系,结合行业应用需求进行说明:...

运营一家芯片厂有多难?不比造芯片简单!

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[原创]国产SiC沟槽MOSFET发展现状与前景分析

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详细解读国产SiC沟槽MOSFET面临的专利限制、技术优势、市场前景及发展路径。报告的主要内容如下: 专利壁垒分析:使用表格介绍国际巨头专利布局及国内面临的限制。国内发展现状:分技术突破、量产时...

[原创]碳化硅功率器件制造工艺详解

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好的,我们来详细解释一下碳化硅(SiC)功率器件制造工艺中的核心材料——碳化硅同质外延片,以及您提到的关键概念和工艺。核心概念解析: 4H-SiC: 这是碳化硅最常见的多型体(晶体结构的一...

LPCVD TEOS 与 PECVD TEOS 的综合对比

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智于博客迁移至芯知社区

博主2021-07-21半导体行业40400
智于博客迁移至芯知社区
通知:智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持,小编将继续努力推出更有深度,更有品质的博文,敬请期待。...

公开课:​微电子工艺 视频教程

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第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]

博主2021-04-10半导体行业故事112920
第三代半导体材料之碳化硅(SiC)[转]
通知:智于博客 迁移至 芯知社区 http://blog.iccourt.com感谢大家一直以来的支持,小编将继续努力推出更有深度,更有品质的博文,敬请期待。碳化硅(SiC)材料是...

碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾[转]

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碳化硅(SiC)MOSFET技术发展史回顾碳化硅(SiC)是一种广泛使用的老牌工业材料,1893年已经开始大规模生产了,至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅,在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由...

PECVD SiNx 薄膜应力的研究

PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子...