碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾[转]
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碳化硅（SiC）MOSFET技术发展史回顾碳化硅（SiC）是一种广泛使用的老牌工业材料，1893年已经开始大规模生产了，至今一直在使用。不过自然界中很难找到碳化硅，在陨石中的矿物莫桑石会含有碳化硅。由...
PECVD SiNx 薄膜应力的研究
PECVD SiNx 薄膜应力的研究摘要 等离子增强化学气相淀积(P lasma2enhanced Chem ical V aper Depo sit ion, PECVD )SiN x 薄膜在微电子...
关于碳化硅SiC栅氧（Gate Oxide）以及NO 退火
1. Introduction 我们生活在一个能源匮乏的世界，在这个世界上，工业化和全球化已经成为一种趋势加速了对资源的需求，现在大约每40年翻一番...
转：一文看懂IGBT的七代发展史
来源：内容来自「英飞凌工业半导体」，作者：赵佳 ，谢谢。话说公元2018年，IGBT江湖惊现第六代和第七代的掌门人，一时风头无两，各路吃瓜群众纷纷猜测二位英雄的出身来历。不禁有好事者梳理了一下英家这些...
转：全方位解析SiC的产业化之路
第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗元素（Ge）半导体材料，应用极为普遍，包括集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业中都得到了极为广泛的应...
第三代半导体发展之碳化硅（SiC）详解
随着节能减排、新能源并网、智能电网的发展，这些领域对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压、更大的电流承载能力、更高的工作频率、更高的效率、更高的工作温度、更强的散热...