绿色能源的倡导者-《BCD技术》 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）在这个万物互连的时代，Power is Everything！所以电子产品厂商们一直在挑战电池的化学特性以及空间缩小的极限...
IGBT理论与实践–实用篇 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）之前发了一篇关于IGBT的文章--“大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》”，今年一下子火了。所以趁热打铁吧，继续来...
大功率器件-《从PowerMOS到IGBT》 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还...
浅谈MOSFET有多少种“击穿”？（转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）我们前面讲了很多MOSFET的开启电压(Vt)，线性区/饱和区等等的特性，这些是我们设计这个器件具备的最基本的特性，但是一...
FinFET简介（转）
FinFET简介：FinFET称为鳍式场效晶体管(FinField-EffectTransistor；FinFET)是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。闸长已可小于25奈米。该项技术的发明人...
静电保护(ESD)原理和设计–Part-1 （转）
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留） 一直想给大家讲讲ESD的理论，很经典。但是由于理论性太强，如果前面那些器件理论以及snap-back理论不懂的...
经典：CMOS寄生特性之SnapBack/Latchup (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）Snap-Back和Latch-up应该是CMOS寄生特性里面最经典的理论了，其实他两个是同一个东西，都是NMOS和PMO...
解剖CMOS门电路–《与非门》 (转)
本文转自芯苑，ic-garden.cn （由于芯苑会经常关闭站点，故转载存留）CMOS是半导体制造或者器件的最basic，所以我选择专题讲解CMOS与非门，从CMOS与非门的工作原理到电路分析到芯片解...