“芯”无远虑，必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺，谁将接替Bulk CMOS?
“传统Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头，必须用创新的思路和方法寻找新的替代工艺。”----IBS主席兼 CEO Handel Jones现在，大量IC采用体硅CMOS（Bulk CMOS...
5G和新能源汽车应用爆发在即，原厂争先布局SiC、GaN (转)
受材料特性所限，硅器件各方面的性能已经接近理论极限，此背景下，宽禁带半导体材料的应用受到关注。这类材料中，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的发展相对更成熟，氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）...
什么是High-K?
由于二氧化硅（SiO2）具有易制性 (Manufacturability)，且能减少厚度以持续改善晶体管效能，因此过去40余年来，处理器厂商均采用二氧化硅做为制作栅极电介质的材料。。 Hig...
一文看懂IGBT（转）
IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲，是一个非通即断的开关，IG...
CMOS到底是怎么工作的 ?
在现代集成电路设计中，CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）是最基本的单元，我们在新闻中经常会遇到这样的描述“在这个1平方厘米...